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离子束刻蚀
Ion Beam Etching
以离子束为刻蚀手段达到刻饰目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束刻蚀分为三种类型：溅射刻蚀，反应刻蚀和混合刻蚀。
离子束最小直径约 10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于 10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达 100nm 以下，最少的达到 10nm，获得最小线宽 12nm 的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于 50nm 的刻饰，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。
正文完
发表至： 科技百科
2022-12-27
