干刻蚀 或 干法刻蚀

干刻蚀 或 干法刻蚀dry etching

干刻蚀是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆 (plasma) 来进行半导体薄膜材料的刻蚀加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001 Torr 的环境下，才有可能被激发出来;而干刻蚀采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成刻蚀的目的。
干刻蚀基本上包括「离子轰击」(ion-bombardment)与「化学反应」(chemical reaction) 两部份刻蚀机制。偏「离子轰击」效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏「化学反应」效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。
干刻蚀法可直接利用光阻作刻蚀之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其最重要的优点，能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高刻蚀率两种优点，换言之，本技术中所谓「活性离子刻蚀」(reactive ion etch;RIE) 已足敷「次微米」线宽制程技术的要求，而正被大量使用中。